IGBT( مخفف کلمه The Insulated Gate Bipolar Transistor ) جزیی از نیمه هادی های قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده میشود. این قطعه حامل اقلیت با امپدانس ورودی بالا و قابلیت بالای حمل جریان دوقطبی می باشد.
IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده ) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بسیاری از طراحان، IGBT را به عنوان قطعه ای با ویژگی های ورودی MOSFET و ویژگی خروجی دوقطبی BJT نشان می دهند که ...
ادامه »