مقالات › دانشنامه برق 

IGBT( مخفف کلمه The Insulated Gate Bipolar Transistor ) جزیی از نیمه هادی های قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می‌شود. این قطعه حامل اقلیت با امپدانس ورودی بالا و قابلیت بالای حمل جریان دوقطبی می باشد.

IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده ) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب دو نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بسیاری از طراحان، IGBT را به عنوان قطعه ای با ویژگی های ورودی MOSFET و ویژگی خروجی دوقطبی BJT نشان می دهند که یک دستگاه دو قطبی که با ولتاژ کنترل می شود.در دستگاه‌های جدید از این قطعه برای سوئیچینگ سریع و بازدهی بالا استفاده می‌شود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال‌ها، تردمیل، دستگاه‌های تهویه مطبوع و حتی سیستم‌های استریو و تقویت کننده‌ها استفاده می‌شود. همچنین در ساخت انواع اینورترها، ترانس های جوش و UPS کاربرد دارد.
                                                                                    

IGBT برای بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت مخصوصا در سرو موتور مدولاسیون پهنای باند(PWM) و درایوهای سه فاز که نیاز به کنترل رنج وسیعی از پهنای باند و نویز کم دارند، مناسب می باشد.
در فرکانس های بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده می‌شود. همچنین با بالا رفتن فرکانس ، ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می‌کند.
به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف POWER MOSFET استفاده می‌شود، این در حالی است که با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد می‌شود.
این مشکلات باعث آن شد که المان جدیدی وارد بازار شود که تمامی مزایای قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد، این قطعه جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.

BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل می‌کنند. به عنوان مثال BJT ها در هنگامی که روشن هستند دارای تلفات هدایتی کمتری هستند درحالیکه زمان سوئیچینگ آنها به خصوص در زمان خاموش شدن طولانی‌تر است. در حال که MOSFET ها قادرند که به مراتب سریعتر قطع و وصل کنند بنابراین تلفات هدایت آنها بیشتر است.


                                                                                

اسامی این پایه‌ها هم از روی همان اسامی قبلی یعنی G از MOSFET و C,E از ترانزیستورهای BJT انتخاب شده است. در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده می‌کنید که دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا می باشد. سرعت سوییچ کردن این نوع نیمه هادی دارای محدودیت بوده بطور نمونه 1KHz تا 50KHz که در کل بین دو نوع BJT و MOSFET قرار می‌گیرد و بخاطر امپدانس ورودی بسیار بالایی که دارد بسیار حساس می‌باشد و بیشتر در کوره‌های القایی برای تقویت دامنه ولتاژ استفاده می‌شود. در کل مورد استفاده این نوع ترانزیستورها بیشتر برای راه اندازی المان های توان بالا می‌باشد. مهمترین و تقریباً تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریان های بالا می‌باشد.